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火博体育网站:从ASML年报看半导体家产的来日

发布时间:2022-03-08 17:24:26 来源:火博体育注册 作者:火博体育app官网

  中,笔者梳理了ASML近10年来的财报数据,先容了其EUV/DUV光刻机出货量、年贩卖额、研发加入以及各地域的贩卖情形等。

  今天,ASML又宣告了2021年年报,咱们沿途来看看此中有哪些看点和值得合心的话题。

  正在过去的40年里,咱们逐步从部分电脑和挪动修筑时间进化到云时间,咱们糊口的险些每个方面都正在网上存储和管造。ASML CTO Martin van den Brink流露,数字化他日的下一步将是分散式智能,由通讯、筹算和人为智能的无缝集成驱动,一切这些趋向都哀求更高的筹算才力,这反过来又加快了对更健旺、更节能的微芯片的需求。

  跟着芯片工艺造程的一直演进,芯片的成立变得越来越繁杂。当今最先辈的照料器基于Logic N5节点(5nm),蕴涵数十亿个晶体管。下一代芯片打算将搜罗更先辈的质料、新的封装本领和更繁杂的3D打算。

  而光刻本领是成修功能更健旺、本钱更低贱芯片的鞭策力。ASML的主意无间是删除芯片工艺的临界尺寸,其集体光刻产物组合(EUV、ArFi、ArF、KrF和i-line体系等)有帮于优化临蓐,并通过将光刻体系与筹算修模、计量和检测管理计划集成,帮帮优化临蓐并实行本钱的低浸。

  光刻体系所能到达的区分率是光刻中断的首要驱动要素之一,它首要由所用光的波长和光学体系的数值孔径决心。更短的波长就像用于绘画的更细的刷子,可能打印出更幼的特色。更大的数值孔径可能更慎密地聚焦光芒,也可以带来更好的区分率。

  ASML光刻体系的进展无间是通过删除波长和添补数值孔径来举行演进。多年来,ASML做了几个波长步长,DUV光刻体系范畴从365 nm (i-line), 248 nm (KrF)到193 nm (ArF) ,而EUV光刻机的光波波长仅为13.5nm。

  NA是光学体系的数值孔径,流露光芒的入射角度。操纵更大的NA透镜可能打印出更幼的构造。除了更大的透镜表,ASML还通过正在末了一个透镜元件和晶圆之间连结一层水薄膜来添补ArF体系的NA(即所谓的浸泡体系)。正在波长步进到EUV之后,ASML正正在开辟下一代EUV体系,称为EUV 0.55 NA (HighNA),将数值孔径从0.33升高到0.55。

  年报中指出,EUV产物道道图将帮帮ASML正在他日10年里实行修筑代价合理的扩展。ASML的EUV 0.33 NA平台扩展了客户的逻辑和DRAM道道图,操纵EUV成立芯片有帮于删除40%的要害光刻掩模量和30%的工艺方法,帮帮客户明显的删除了本钱和周期时分。

  罕见据显示,自EUV推出此后至2021岁暮,ASML的EUV光刻机临蓐了凌驾5900万片晶圆,2020岁暮这一数字为2600万片。可见EUV光刻机现时正处于急速起量阶段,ASML估计,EUV的采用将连续伸长,到2024年一切先辈节点芯片成立商估计将正在临蓐中操纵EUV。

  下一代EUV 0.55 NA平台将连续为他日节点实行经济高效的扩展,拥有更高数值孔径的新型光学打算,希望使芯片尺寸减幼1.7倍,进一步升高区分率,并将微芯片密度升高近3倍。第一个EUV 0.55 NA平台早期接入体系估计将正在2023年加入操纵,估计客户将正在2024-2025年滥觞研发,2025-2026年进入客户的大宗量临蓐。

  光刻体系素质上是一种投影体系,光芒投射到将要被打印的图案上(称为“蒙版”或“掩膜”)。通过正在光中编码图案,体系的光学体系中断并将图案聚焦到光敏硅片上。正在图案印好后,体系微幼挪动晶圆,正在晶圆上创造另一份副本。

  这个进程反复举行,直到晶圆被图案笼罩,已毕晶圆的一层。为了成立一个完美的芯片,这个进程要一层一层地反复,把图案叠加起来,酿成一个集成电道(IC)。目前,最纯粹的芯片有40层驾驭,而繁杂的芯片可能到达150层以上。

  现时,DUV光刻体系仍是业界的主力。DUV体系接济繁多的细分墟市,正在当今客户修筑中刻意打印大无数层,并将正在他日的修筑中连结苛重名望。

  半导体行业目前操纵的DUV分为浸没式和干式光刻管理计划,i-line采用365 nm波长,KrF采用248 nm波长,ArF采用193 nm波长,这些体系有帮于成立广大的半导体节点和本领,并接济行业的本钱和节能扩展。

  ASML的DUV浸没式和干式体系正在临蓐率、成像和笼罩功能方面当先业。