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火博体育网站:碳化硅正在半导体行业中都有哪些进展潜力?

发布时间:2022-03-23 02:26:18 来源:火博体育注册 作者:火博体育app官网

  碳化硅半导体物业链紧要网罗碳化硅高纯粉料、单晶衬底、表延片、功率器件、模块封装和终端使用等闭节。

  碳化硅高纯粉料是采用PVT法滋长碳化硅单晶的原料,其产物纯度直接影响碳化硅单晶的滋长质地以及电学职能。碳化硅粉料有多种合成办法,紧要有固相法、液相法和气相法3种。个中,固相法网罗碳热还原法、自扩张高温合成法和板滞摧残法;液相法网罗溶胶-凝胶法和咸集物热分析法;气相法网罗化学气相重积法、等离子体法和激光诱导法等。

  单晶衬底是半导体的撑持质料、半导体材料原理导电质料和表延滋长基片。出产碳化硅单晶衬底的环节步伐是单晶的滋长,也是碳化硅半导体质料使用的紧要本事难点,是物业链中本事聚集型和资金聚集型的闭节。目前,SiC单晶滋长伎俩有物理气相传输法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相重积法(HTCVD法)等。

  碳化硅表延片,是指正在碳化硅衬底上滋长了一层有肯定请求的、与衬底晶向一样的单晶薄膜(表延层)的碳化硅片。目前,碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜造备紧要有化学气相淀积法(CVD)、液相法(LPE)、升华法、溅射法、MBE法等多种伎俩。

  目前,量产阶段的闭系功率器件封装类型根本沿用了硅功率器件。模块封装可能优化碳化硅功率器件行使进程中的职能和牢靠性,可灵巧地将功率器件与分其它使用计划贯串。

  正在第三代半导体使用中,碳化硅半导体的上风正在于可与氮化镓半导体互补。因为SiC器件高转换服从、低发烧特色和轻量化等上风,下游行业需求不断扩张,有代替SiQ器件的趋向。返回搜狐,查看更多